a.近端相噪主要是晶体 q 值来决定。高频晶体有---的近载波相位噪声（close-inphase noise）， 因为他们有低的 q 值和更宽的边带；
b 中端相噪主要是晶体---电路(包括 ic)来决定；
c 远端相噪主要是信号输出(白噪声)来决定。
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smd 压控晶振趋于小型化，内部有 ic，对温度和静电异常的敏感，压控振荡器，要做好防静电措施以防击穿 ic。在焊接过程中一定到严格按照的回流焊温度曲线图进行操作。其中更需注意的是控制好温度升降速度，温度变化太快容易造成热冲击，对晶振造成不可恢复性的破坏。
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vcxo 是将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压，晶体振荡器频率的小峰值改变量。说明：基准电压为＋2.5v，压控振荡器型号，规定终点电压为＋0.5v 和＋4.5v，压控晶体振荡器在＋0.5v 频率控制电压时频率改变量为-2ppm，在＋4.5v频率控制电压时频率改变量为+2.1ppm，则 vcxo 电压控制频率压控范围表示为：***±2ppm(2.5v±2v)，压控振荡器批发，斜率为正，线性为+2.4%。
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